AMR傳感器非常適用于地磁場(chǎng)范圍內(nèi)的弱磁場(chǎng)測(cè)量，并已被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)航羅盤、旋轉(zhuǎn)位置傳感、電流傳感及VR頭部軌道跟蹤器。在線性和旋轉(zhuǎn)位置測(cè)量中，AMR傳感器需適配AMR傳感器磁體。

什么是各向異性磁電阻AMR效應(yīng)？

各向異性磁電阻AMR效應(yīng)是指鐵磁材料的電阻率隨施加于鐵磁材料上的外磁場(chǎng)同電流方向之間的夾角改變而變化的現(xiàn)象。AMR效應(yīng)由William Tompson于1857年在鐵磁多晶體中發(fā)現(xiàn)，但直到1971年利用AMR效應(yīng)制備磁盤磁頭后，AMR效應(yīng)及其應(yīng)用才得到重視。

各向異性磁敏材料被認(rèn)為是AMR傳感器的核心材料。目前各向異性磁敏材料主要采用坡莫合金，其晶粒尺寸及形貌均對(duì)傳感器性能存在重要影響。

關(guān)于AMR傳感器磁體

燒結(jié)鐵氧體、燒結(jié)釹鐵硼磁體和燒結(jié)釤鈷磁體均可作為AMR傳感器磁體。較高的磁場(chǎng)強(qiáng)度利于減少雜散磁場(chǎng)對(duì)于AMR傳感器精度的影響。AMR傳感器與AMR傳感器磁體幾何中心的對(duì)準(zhǔn)程度亦對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的誤差存在顯著影響。